紅外光譜儀是利用物質(zhì)對(duì)不同波長的紅外輻射吸收特性，進(jìn)行分子結(jié)構(gòu)和化學(xué)組成分析的儀器。作為實(shí)驗(yàn)室常見儀器之一，紅外光譜儀與其他實(shí)驗(yàn)室科研儀器一樣屬于精密儀器，了解操作規(guī)范對(duì)于儀器保護(hù)，儀器儀器檢測(cè)的準(zhǔn)確性，有非常重要的意義。今天我們就來講講紅外光譜儀的操作注意事項(xiàng)。　　一、開機(jī)階段　　紅外光譜儀開機(jī)階段包括開機(jī)前和開機(jī)中。具體來說，儀器開機(jī)前應(yīng)先檢查實(shí)驗(yàn)室或其所在的科研場(chǎng)所的電源、溫度、濕度等條件是否符合標(biāo)準(zhǔn)。一般來說，紅外光譜儀工作環(huán)境應(yīng)保證電壓穩(wěn)定，室溫為21攝氏度左右(上下波動(dòng)小于5攝氏度)，濕度小于65%(不符合標(biāo)準(zhǔn)不能開機(jī))?！　《鴥x器開機(jī)時(shí)，應(yīng)先打開儀器電源，穩(wěn)定運(yùn)行一段時(shí)間(一般是半小時(shí))后，待儀器能量達(dá)到合適狀態(tài)，開啟電腦，檢查儀器穩(wěn)定性。　　二、制樣階段　　制樣階段包括樣品的研磨和壓片處理。一般來說，樣品的研磨要在紅外燈下進(jìn)行，防止樣品吸水影響檢測(cè)結(jié)果。而壓片用的模具，使用后應(yīng)立刻將各部分擦干凈，必要時(shí)用水清洗干凈并擦干，并放置干燥器中保存以免銹蝕?！　∪MNI采樣器使用　　OMNI采樣器使用使用過程中必須注意以下幾點(diǎn)：　　(1)樣品與Ge晶體間必須緊密接觸，不留縫隙。避免紅外光射到空氣層就發(fā)生衰減全反射，未能進(jìn)入樣品層；　　(2)對(duì)于熱、燙、冰冷、強(qiáng)腐蝕性的樣品不能直接置于晶體上進(jìn)行測(cè)定，以免Ge晶體裂痕和腐蝕?！　?3)尖、硬且表面粗糙的樣品極易刮傷晶片，甚至使其碎裂，故不適合用OMNI采樣器采樣。 等離子體原子發(fā)射光譜儀的那些主要特點(diǎn)

等離子體原子發(fā)射光譜儀利用氬等離子體產(chǎn)生的高溫使用試樣**分解形成激發(fā)態(tài)的原子和離子;

由于激發(fā)態(tài)的原子和離子不穩(wěn)定，外層電子會(huì)從激發(fā)態(tài)向低的能級(jí)躍遷，因此發(fā)射出特征的譜線。

通過光柵等分光后，利用檢測(cè)器檢測(cè)特定波長的強(qiáng)度，光的強(qiáng)度與待測(cè)元素濃度成正比。

等離子體原子發(fā)射光譜儀主要特點(diǎn)：

1）分析流程全自動(dòng)化控制，實(shí)現(xiàn)軟件點(diǎn)火、氣路智能控制功能；

2) 輸出功率自動(dòng)匹配調(diào)諧，功率參數(shù)程序設(shè)定；

3) 優(yōu)良的光學(xué)系統(tǒng)，先進(jìn)的控制系統(tǒng)，保證峰位定位準(zhǔn)確，信背比優(yōu)良；

4）**的基體效應(yīng)，具有較高的譜線分辨率 能分出Hg313.154和313.183nm雙線譜線 能分出鐵的四重峰

5）測(cè)量范圍寬， 超微量到常量的分析,動(dòng)態(tài)線性范圍5—6個(gè)數(shù)量級(jí)；

6）Rf輸出功率的范圍750-1500W，輸出功率穩(wěn)定性小于0.1%，檢出限低，大多數(shù)元素的檢出限可達(dá)ppb級(jí)；

7）光電倍增管的負(fù)高壓可在0-1000v范圍內(nèi)獨(dú)立可調(diào),可根據(jù)不同元素的不同譜線單獨(dú)設(shè)置條件，和全譜儀器比較有更好的檢出限。

8）良好的測(cè)量精度，穩(wěn)定性相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差RSD≤1.5%，優(yōu)于A級(jí)標(biāo)準(zhǔn)；

9）功能強(qiáng)大、友好的人機(jī)界面分析軟件,可在測(cè)定過程中，進(jìn)行數(shù)據(jù)處理，方法編制和結(jié)果分析，是真正的多任務(wù)工作軟件；

該軟件數(shù)據(jù)處理功能強(qiáng)大，提供了多種方法，如內(nèi)標(biāo)校正、IECS和QC監(jiān)測(cè)功能等，可獲得較佳的背景扣除點(diǎn)以**干擾；

對(duì)輸出數(shù)據(jù)可直接打印或自動(dòng)生成Excel格式的結(jié)果報(bào)告，終身免費(fèi)升級(jí).

10）使用鈸銅彈片和特殊處理的屏蔽玻璃，在吸收紫外線同時(shí)使儀器輻射小于2V/m。

采用高屏蔽和良好接地保證操作者的**。